今日は論文から必要な情報を抜き出す練習しようということで、相変わらずひたすら英語と格闘。
さすがに4回目ともなるとgate peripheryが24mmのAlGaN/GaN/SiC HEMTでdrain voltage 52V, frequency 2GHz, power matched conditionでpower densityが70W total, power added efficiencyが32％, drain efficiencyが45％…というくらいの情報は引き出せるんだが*1、premature saturationって何ですか。2DEG(二次元電子ガス？)とか言われても分かりませんから。HFETの等価回路とか描いて説明されても分かりませんから。
これで報告とか書けるんだろうか…('A`)
*1:主にグラフですけどね
